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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N5406G
1N5406G PDF预览

1N5406G

更新时间： 2024-11-19 22:38:07
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 27K
描述
GLASS PASSIVATED JUNCTION PLASTIC RECTIFIER

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1N5406G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-201AD
包装说明：PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.06Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：265认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N5406G 数据手册

 浏览型号1N5406G的Datasheet PDF文件第2页 
1N5400G  
THRU  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
1N5408G  
GLASS PASSIVATED  
JUNCTION PLASTIC RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 3.0 Amperes  
FEATURES  
* High reliability  
* Low leakage  
* Low forward voltage drop  
* High current capability  
* Glass passivated junction  
DO-201AD  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
(
)
)
.052 1.3  
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
DIA.  
(
.048 1.2  
1.0 (25.4)  
MIN.  
* Weight: 1.18 grams  
.375 (9.5)  
.335 (8.5)  
(
)
.220 5.6  
DIA.  
(
)
.197 5.0  
1.0 (25.4)  
MIN.  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
1N5400G 1N5401G 1N5402G 1N5404G 1N5406G 1N5407G 1N5408G UNITS  
V
V
RRM  
RMS  
Volts  
Volts  
Volts  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
O
100  
1000  
Maximum Average Forward Rectified Current  
I
3.0  
Amps  
Amps  
.375” (9.5mm) lead length at TL  
= 105oC  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
200  
40  
Typical Junction Capacitance (Note)  
Typical Thermal Resistance  
CJ  
pF  
0C/ W  
0 C  
R θ J A  
, TSTG  
30  
T
J
-65 to + 175  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA  
= 25oC unless otherwise noted)  
SYMBOL  
1N5400G 1N5401G 1N5402G 1N5404G 1N5406G 1N5407G 1N5408G UNITS  
CHARACTERISTICS  
1.1  
5.0  
Volts  
V
F
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 3.0A DC  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@T  
@T  
A
A
= 25oC  
= 100oC  
uAmps  
300  
I
R
Maximum Full Load Reverse Current Average, Full Cycle  
.375” (9.5mm) lead length at T  
= 75oC  
NOTES : Measured at 1 MH and applied reverse voltage of 4.0 volts  
30  
uAmps  
2001-6  
L
Z
12

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与1N5406G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5406-G COMCHIP

获取价格

 		General Purpose Rectifier
1N5406G(LS) DIODES

获取价格

 		1.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
1N5406G-A DIODES

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,
1N5406G-B DIODES

获取价格

 		3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER
1N5406G-E GULFSEMI

获取价格

 		GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A
1N5406GH31 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5406GH31-1 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5406GH34 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5406GH35 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
1N5406GH36 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

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