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1N5400_13

更新时间： 2024-09-15 12:51:59

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德欧泰克 - DIOTEC		整流二极管
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描述
Silicon Rectifier Diodes . Silizium-Gleichrichterdioden

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1N5400_13 数据手册

1N5400 ... 1N5408

Version 2013-04-30

1N5400 ... 1N5408

Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden

Nominal current

Nennstrom

3 A

50...1000 V

~ DO-201

0.8 g

Ø 4.5^+0.1

-0.3

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

Plastic case

Kunststoffgehäuse

Weight approx.

Gewicht ca.

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Ø 1.2^±0.05

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM[V]

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM[V]

1N5400

1N5401

1N5402

1N5404

1N5406

1N5407

1N5408

100

200

400

600

800

1000

100

200

400

600

800

1000

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

T_A= 50°C

f > 15 Hz

T_A= 25°C

I_FAV

I_FRM

I_FSM

i²t

3 A ¹)

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

30 A ¹)

180/200 A

166 A²s

Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle

Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-50...+175°C

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

http://www.diotec.com/

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