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1N5269B(DO-35)-TP

更新时间： 2024-10-29 19:18:51
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 726K
描述
Zener Diode, 87V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, GLASS PACKAGE-2

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1N5269B(DO-35)-TP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-35包装说明：O-LALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.59外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJEDEC-95代码：DO-35
JESD-30 代码：O-LALF-W2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：87 V
表面贴装：NO技术：ZENER
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压容差：5%工作测试电流：1.4 mA
Base Number Matches：1

1N5269B(DO-35)-TP 数据手册

 浏览型号1N5269B(DO-35)-TP的Datasheet PDF文件第2页 
1N5221  
THRU  
1N5281  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
·
·
·
Wide Voltage Range Available  
Glass Package  
500 mW  
Zener Diode  
2.4 to 200 Volts  
High Temp Soldering: 250°C for 10 Seconds At Terminals  
Maximum Ratings  
DO-35  
·
·
·
·
·
Operating Temperature: -55°C to +150°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
500 mWatt DC Power Dissipation  
Power Derating: 4.0mW/°C above 50°C  
Forward Voltage @ 200mA: 1.1 Volts  
Figure 1 - Typical Capacitance  
100  
D
A
Cathode  
Mark  
pf  
B
10  
At zero volts  
D
At –2 Volts VR  
1
C
0
100  
200  
VZ  
Typical Capacitance (pf) – versus – Zener voltage (VZ)  
Figure 2 - Derating Curve  
400  
DIMENSIONS  
mW  
200  
INCHES  
MIN  
---  
MM  
MIN  
DIM  
A
MAX  
.166  
.079  
.020  
---  
MAX  
4.2  
NOTE  
---  
---  
B
---  
2.00  
.52  
C
---  
---  
D
1.000  
25.40  
---  
0
50  
Temperature °C  
Power Dissipation (mW) - Versus - Temperature °C  
100  
150  
www.mccsemi.com  
Revision: 3  
2002/12/31  
12

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