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1N5269BAR1

更新时间: 2024-11-24 10:52:11
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 124K
描述
87V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

1N5269BAR1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.47
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
膝阻抗最大值:2200 Ω元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:87 V
最大反向电流:0.1 µA表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL电压温度Coeff-Max:86.13 mV/ °C
最大电压容差:5%工作测试电流:1.4 mA
Base Number Matches:1

1N5269BAR1 数据手册

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