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1N5229B-TAP

更新时间： 2024-11-10 07:32:43

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威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
6页	93K
描述
DIODE 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode

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1N5229B-TAP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.23
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-35
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e2
端子数量：	2	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

1N5229B-TAP 数据手册

1N5221B to 1N5267B

www.vishay.com

Vishay Semiconductors

Small Signal Zener Diodes

FEATURES

• Silicon planar power Zener diodes

• Standard Zener voltage tolerance is 5 ꢀ

• These diodes are also available in MiniMELF

case with the type designation TZM5221 to

TZM5267, SOT-23 case with the type

designations MMBZ5225 to MMBZ5267 and

SOD-123 case with the types designations

MMSZ5225 to MMSZ5267

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in

accordance to WEEE 2002/96/EC

PRIMARY CHARACTERISTICS

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

PARAMETER

V_Zrange nom.

Test current I_ZT

V_Zspecification

Int. construction

VALUE

UNIT

2.4 to 75

APPLICATIONS

• Voltage stabilization

1.7 to 20

Thermal equilibrium

Single

ORDERING INFORMATION

DEVICE NAME

ORDERING CODE

TAPED UNITS PER REEL

MINIMUM ORDER QUANTITY

1N5221B to 1N5267B

1N5221B to 1N5267B-series-TR

1N5221B to 1N5267B-series-TAP

10 000 per 13" reel

30 000/box

10 000 per ammopack

(52 mm tape)

30 000/box

PACKAGE

MOLDING COMPOUND MOISTURE SENSITIVITY

SOLDERING

CONDITIONS

PACKAGE NAME

WEIGHT

FLAMMABILITY RATING

LEVEL

MSL level 1

(according J-STD-020)

DO-35

125 mg

UL 94 V-0

260 °C/10 s at terminals

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

VALUE

UNIT

K/W

°C

Power dissipation

T_L 25 °C

P_tot

I_Z

500

P_tot/V_Z

300

Zener current

Thermal resistance junction to ambient air

Junction temperature

Storage temperature range

Forward voltage (max.)

I = 4 mm, T_L= constant

R_thJA

T_j

175

T_stg

V_F

- 65 to + 175

1.1

°C

I_F= 200 mA

Rev. 2.0, 31-Jan-12

Document Number: 85588

For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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1N5229B-TAP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTX1N749A-1	MICROSEMI	功能相似	SILICON 400 mW ZENER DIODES
1N5229B-T	DIODES	功能相似	500mW EPITAXIAL ZENER DIODE

与1N5229B-TAP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N5229BTR	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 4.3V V(Z), 5%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA
1N5229BTR	ONSEMI	获取价格	Zener 0.5W
1N5229BTRE3	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 4.3V V(Z), 5%, 0.5W,
1N5229BTR-RECU	CENTRAL	获取价格	Zener Diode, 4.3V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
1N5229BTR-RMCU	CENTRAL	获取价格	Zener Diode, 4.3V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
1N5229BUR	MICROSEMI	获取价格	500 mW GLASS SURFACE MOUNT ZENER DIODES
1N5229BUR-1	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 4.3V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS
1N5229BUR-1E3	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 4.3V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, ROHS COMPLIANT, HERME
1N5229BUR-1E3TR	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 4.3V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS
1N5229BUR-1TR	MICROSEMI	获取价格	Zener Diode, 4.3V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS

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