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1N5229C-B

更新时间： 2024-01-28 21:11:37

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RECTRON		二极管
页数	文件大小	规格书
6页	114K
描述
Zener Diode

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1N5229C-B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.28
配置：	SINGLE	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	22 Ω	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大功率耗散：	0.5 W	标称参考电压：	4.3 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	最大电压容差：	2%
工作测试电流：	20 mA	Base Number Matches：	1

1N5229C-B 数据手册

1N5221B-

1N5267B

SILICON ZENER DIODES

VOLTAGE 2.4 To 75 Volts POWER 500 mWatts

FEATURES

DO-35

• Planar Die construction

• 500mW Power Dissipation

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICALDATA

• Case: Molded Glass DO-35

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: See Diagram Below

• Approx. Weight: 0.13 grams

• Mounting Position: Any

• Ordering information: Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package

• Packing information

- 2K per Bulk box

T/R - 10K per 13" plastic Reel

T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Symbol

Value

500

Units

Power Dissipation at Tamb = 25 ^OC

TO T

Junction Temperature

175

^OC

Storage Temperature Range

-65 to +175

Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature.

Parameter

Symbol

R_QJA

Min.

Typ.

Max.

0.3*

Units

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

K/mW

Forward Voltage at I_F= 200mA

1.1

V_F

Valid provided that leads at a distance of 10 mm from case are kept at ambient temperature.

2015-09

REV: O

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5229CE3TR	MICROSEMI	Zener Diode, 4.3V V(Z), 2%, 0.48W, Silicon, Unidirectional, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLA	获取价格
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1N5229CP	MCC	DIODE 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-	获取价格
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1N5229CRL2	MOTOROLA	4.3V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH, GLASS, DO-35, 2 PIN	获取价格
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