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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.92 |
| 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 1500 Ω |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 380 V | 子类别： | Voltage Reference Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 3 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5133E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 380V V(Z), 5%, 5W, Silicon, Unidirectional, |
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| 1N5134 | NJSEMI |
获取价格 |
REF/REG DIODE |
|
| 1N5134 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 400V V(Z), 5%, 5W, Silicon, Unidirectional, |
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| 1N5134E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 400V V(Z), 5%, 5W, Silicon, Unidirectional, |
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| 1N5139 | NJSEMI |
获取价格 |
DIODE |
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| 1N5139 | KNOX |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES |
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| 1N5139 | MICROSEMI |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 6.8pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt, DO-7 |
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| 1N5139A | KNOX |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES |
|
| 1N5139A | NJSEMI |
获取价格 |
DIODE |
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| 1N5139A | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 6.8pF C(T), 60V, |
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