1N5140A

更新时间： 2024-11-05 07:21:59

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ASI		二极管变容二极管
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描述
TUNING VARACTOR DIODE

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1N5140A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.11
最小击穿电压：	60 V	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	最小二极管电容比：	2.8
标称二极管电容：	10 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	JEDEC-95代码：	DO-204AA
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
最小质量因数：	300	最大重复峰值反向电压：	60 V
子类别：	Varactors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
变容二极管分类：	ABRUPT	Base Number Matches：	1

1N5140A 数据手册

1N5140A

TUNING VARACTOR DIODE

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE D0-204AA

The 1N5140A is a Silicon Abrupt

Junction Microwave Tuning Varactor

Diode.

Millimeters

Inches

Min

Dim:

Min

Max

5.84

2.16

0.46

---

7.62

2.72

0.56

1.27

38.10

0.230

0.085

0.018

---

0.300

0.107

0.022

0.050

1.500

MAXIMUM RATINGS

250 mA

I_F

V_R

25.40

1.000

60 V

400 mW @ T_A= 25 ^OC

-65 ^OC to +175 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

P_DISS

T_J

BAND = CATHODE LEAD

T_STG

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

V_BR

TEST CONDITIONS

MINIMUM

TYPICAL MAXIMUM

UNITS

I_R= 10 µA

V_R= 55 V

I_R

µA

T_A= 150 ^OC

C_T4

V_R= 4.0 V

f = 1.0 MHz

f = 50 MHz

f = 250 MHz

f = 1.0 MHz

9.5

0.38

300

10.0

0.41

10.5

---

L_S

5.0

0.25

3.0

---

C_C

C_T4/C_T60

2.8

V_R= 4 & 60 V

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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