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1N4994P-PBF

更新时间： 2024-11-30 05:22:55
品牌 Logo 应用领域
DIGITRON 测试二极管
页数 文件大小 规格书
4页 446K
描述
Zener Diode

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1N4994P-PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.65
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
最大动态阻抗：1175 Ω最大正向电压 (VF)：1.5 V
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-PALF-W2
膝阻抗最大值：2200 Ω元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：5 W标称参考电压：330 V
最大反向电流：2 µA反向测试电压：251 V
表面贴装：NO技术：ZENER
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED电压温度Coeff-Max：396 mV/ °C
最大电压容差：5%工作测试电流：4 mA
Base Number Matches：1

1N4994P-PBF 数据手册

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1N4954P-1N4996P  
5 WATT PLASTIC ZENER DIODE  
High-reliability discrete products  
and engineering services since 1977  
FEATURES  
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.  
Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding “-PBF” suffix.  
MAXIMUM RATINGS  
Operating Temperature:  
-65 to +175°C  
Storage Temperature:  
Power Dissipation:  
-65 to +175°C  
5 Watts @ TL = 65°C at 3/8” from body, derate linearly to zero @ 175°C.  
Thermal Resistance:  
Thermal Impedance @ 10ms:  
Forward Voltage:  
22°C/W junction to lead at 3/8” from body  
1.8°C/W  
1.50 V @ 1.0A  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Electrical Specifications @ 25°C  
Maximum Ratings  
Surge  
Maximum Reverse  
Leakage Current  
Voltage  
Maximum Zener  
Impedance  
Nominal  
Zener  
Voltage  
Voltage  
Regulation  
VZ  
Maximum  
Temperature  
Coeff.  
Maximum  
Continuous  
Current  
Current  
Test  
Current  
Type  
IZSM  
IZT  
ZZK @ IZK  
8.3ms square  
wave  
VZ @ IZT  
(note 1)  
αVz @ IZT  
IZM  
ZZ @ IZT  
IR  
VR  
1mA  
OHMS  
1000  
Volts  
6.8  
mA  
175  
175  
150  
150  
125  
125  
100  
100  
75  
OHMS  
1.0  
1.5  
1.5  
2.0  
2.0  
2.5  
2.5  
3.0  
3.5  
3.5  
4.0  
4.5  
5.0  
5.0  
6.0  
8
Volts  
0.7  
0.7  
0.7  
0.7  
0.8  
0.8  
0.8  
0.9  
1.0  
1.1  
1.2  
1.5  
1.8  
2.0  
2.0  
2.5  
2.8  
3.0  
3.0  
3.3  
3.5  
4.0  
µA  
150  
100  
50  
25  
25  
10  
10  
10  
5
Volts  
5.2  
%/°C  
.05  
mA  
700  
630  
580  
520  
475  
430  
395  
365  
315  
294  
264  
237  
216  
198  
176  
158  
144  
132  
122  
110  
100  
92  
Amps  
29.3  
26.4  
24.0  
22.0  
20.0  
19.0  
18.0  
16.0  
12.0  
10.0  
9.0  
1N4954P  
1N4955P  
1N4956P  
1N4957P  
1N4958P  
1N4959P  
1N4960P  
1N4961P  
1N4962P  
1N4963P  
1N4964P  
1N4965P  
1N4966P  
1N4967P  
1N4968P  
1N4969P  
1N4970P  
1N4971P  
1N4972P  
1N4973P  
1N4974P  
1N4975P  
7.5  
800  
600  
400  
125  
130  
140  
145  
150  
155  
160  
165  
170  
175  
180  
190  
200  
220  
230  
240  
250  
270  
5.7  
.06  
8.2  
6.2  
.06  
9.1  
6.9  
.06  
10.0  
11.0  
12.0  
13.0  
15.0  
16.0  
18.0  
20.0  
22.0  
24.0  
27.0  
30.0  
33.0  
36.0  
39.0  
43.0  
47.0  
51.0  
7.6  
.07  
8.4  
.07  
9.1  
.07  
9.9  
.08  
11.4  
12.2  
13.7  
15.2  
16.7  
18.2  
20.6  
22.8  
25.1  
27.4  
29.7  
32.7  
35.8  
38.8  
.08  
75  
5
.08  
65  
5
.085  
.085  
.085  
.090  
.090  
.090  
.095  
.095  
.095  
.095  
.095  
.095  
65  
2
8.0  
50  
2
7.0  
50  
2
6.5  
50  
2
6.0  
40  
2
5.5  
40  
10  
2
5.0  
30  
11  
2
4.5  
30  
14  
2
4.0  
30  
20  
2
3.5  
25  
25  
2
3.2  
25  
27  
2
3.0  
Rev. 20130819  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4994US SENSITRON

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1N4994US MICROSEMI

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1N4994USD MICROSEMI

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 		Zener Diode, 330V V(Z), 1%, 5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, D58, 2 PI
1N4994USE3 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 330V V(Z), 5%, 5W, Silicon, Unidirectional,
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1N4995C MICROSEMI

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