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1N4995

更新时间: 2024-11-29 07:21:55
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NJSEMI 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
1页 359K
描述
ELECTRICAL CHARACTERISTICS

1N4995 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.72
Is Samacsys:N其他特性:METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
标称参考电压:360 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL工作测试电流:3 mA
Base Number Matches:1

1N4995 数据手册

  

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Zener Diode, 360V V(Z), 2%, 5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, D58, 2 PI