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1N4942G-B

更新时间： 2024-11-06 19:17:07
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2

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1N4942G-B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-41
包装说明：PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.1
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：265认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.15 µs
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N4942G-B 数据手册

 浏览型号1N4942G-B的Datasheet PDF文件第2页 
1N4942G  
THRU  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
1N4948G  
FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 200 to 1000 Volts CURRENT 1.0 Ampere  
FEATURES  
* High reliability  
* Low leakage  
* Low forward voltage drop  
* Glass passivated junction  
* High switch capability  
DO-41  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
.034 (0.9)  
.028 (0.7)  
DIA.  
1.0 (25.4)  
MIN.  
* Weight: 0.35 gram  
.205 (5.2)  
.166 (4.2)  
.107 (2.7)  
.080 (2.0)  
DIA.  
1.0 (25.4)  
MIN.  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
1N4942G  
1N4944G  
1N4946G  
1N4947G  
1N4948G  
UNITS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
V
RRM  
RMS  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Volts  
Volts  
Volts  
V
DC  
O
1000  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified Current  
I
1.0  
30  
Amps  
Amps  
at TA  
= 55oC  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
C
J
15  
pF  
0 C  
Operating and Storage Temperature Range  
T
J
, TSTG  
-55 to + 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA  
= 25oC unless otherwise noted)  
CHARACTERISTICS  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC  
Maximum DC Reverse Current  
SYMBOL  
1N4942G  
1N4944G  
1N4946G  
1.3  
1N4947G  
1N4948G  
UNITS  
Volts  
V
F
5.0  
uAmps  
at Rated DC Blocking Voltage T  
Maximum Full Load Reverse Current Full Cycle  
Average, .375” (9.5mm) lead length at T  
= 55oC  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
NOTES : 1. Test Conditions: I = 0.5A, I = -1.0A, IRR = -0.25A  
2. Measured at 1 MH and applied reverse voltage of 4.0 volts  
A
= 25oC  
I
R
100  
uAmps  
nSec  
L
trr  
150  
250  
500  
F
R
2002-11  
Z
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4942G-E RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
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