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1N4935GP PDF预览

1N4935GP

更新时间： 2024-02-19 14:46:42
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 35K
描述
1.0 Ampere Glass Passivated Fast Recovery Rectifiers

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1N4935GP 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：DO-41
包装说明：DO-41SP, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.13
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.2 µs
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

1N4935GP 数据手册

 浏览型号1N4935GP的Datasheet PDF文件第2页 
Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
1N4933GP - 1N4937GP  
1.0 min (25.4)  
Features  
Dimensions in  
inches (mm)  
• Low forward voltage drop.  
• High surge current capability.  
• High reliability.  
0.205 (5.21)  
0.160 (4.06)  
0.107 (2.72)  
0.080 (2.03)  
DO-41  
• High current capability.  
COLOR BAND DENOTES CATHODE  
0.034 (0.86)  
0.028 (0.71)  
1.0 Ampere Glass Passivated Fast Recovery Rectifiers  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
IO  
Average Rectified Current  
1.0  
A
.375 " lead length @ T = 75 C  
°
A
Peak Forward Surge Current  
if(surge)  
8.3 ms single half-sine-wave  
Superimposed on rated load (JEDEC method)  
Total Device Dissipation  
30  
A
PD  
2.73  
18  
W
mW/ C  
°
Derate above 25 C  
°
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
55  
Rθ  
C/W  
°
JA  
Storage Temperature Range  
-65 to +175  
-65 to +175  
C
°
°
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
C
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Device  
Units  
4933GP  
50  
4934GP  
100  
4935GP  
200  
4936GP  
400  
4937GP  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
600  
420  
600  
V
V
V
35  
70  
140  
280  
50  
100  
200  
400  
DC Reverse Voltage  
Maximum Reverse Current  
@ rated VR TA = 25°C  
TA = 125°C  
(Rated VR)  
5.0  
100  
µA  
µA  
nS  
Maximum Reverse Recovery Time  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, IRR = 0.25A  
Maximum Forward Voltage @ 1.0 A  
150  
1.2  
15  
V
Typical Junction Capacitance  
VR = 4.0 V, f = 1.0 MHz  
pF  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1N4933GP-1N4937GP, Rev. A  
12

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1N4935GP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N4936RLG ONSEMI

功能相似

 Axial−Lead Fast−Recovery Rectifiers
1N4935G ONSEMI

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 1.0 AMP GLASS PASSIVATED FAST RECOVERY RECTIFIERS
1N4003G ONSEMI

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 Axial Lead Standard Recovery Rectifiers

与1N4935GP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4935GP/4F VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
1N4935GP/4G VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
1N4935GP/4H VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
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