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1N4935G

更新时间： 2024-02-22 11:07:35

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安森美 - ONSEMI		二极管快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
2页	86K
描述
1.0 AMP GLASS PASSIVATED FAST RECOVERY RECTIFIERS

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1N4935G 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	DO-41SP, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.13
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	最大反向恢复时间：	0.2 µs
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N4935G 数据手册

GALAXY ELECTRICAL

1N4933G---1N4937G

VOLTAGE RANGE: 50 --- 600 V

CURRENT: 1.0 A

GLASS PASSIVATED JUNCTION

FEATURES

Low cost

DO - 41

Glass passivated junction

Low leakage

Low forward voltage drop

High current capability

Easilycleaned with Freon,Alcohil,Isopropanop

and similar solvents

The plastic material carries U/L recognition 94V-0

MECHANICAL DATA

Case:JEDEC DO-41,molded plastic

Terminals: Axial lead ,solderable per

MIL- STD-202,Method 208

Polarity: Color band denotes cathode

Weight: 0.34 grams

Mounting position: Any

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by20%.

4933G

4934G

4935G

4936G

4937G

UNITS

Maximum recurrent peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

Maximum DC blocking voltage

100

Maximum average forw ard rectified current

I_F(AV)

1.0

9.5mmlead length,

@T_A=75

Peak forw ard surge current

8.3ms single half-sine-w ave

I_FSM

30.0

1.3

superimposed on rated load @T_J=125

Maximum instantaneous forw ard voltage

V_F

I_R

@1.0 A

Maximum reverse current

@T_A=25

5.0

100.0

at rated DC blocking voltage @T_A=100

Maximym reverse capacitance

Typical junction capacitance

Typical thermal resistance

(Note1)

(Note2)

(Note3)

t_rr

C_J

200

12.0

R_θJA

T_J

22.0

Operating junction temperature range

- 55---- +175

- 55---- + 175

Storage temperature range

NOTE: 1. Measured with I_F=0.5A I_R=1A I_rr=0.25A.

T_STG

www.galaxycn.com

2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse voltage of 4.0V DC.

3. Thermal resistance f rom junction to ambient.

Document Number 0269004

BLGALAXY ELECTRICAL

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1N4935G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
1N4003G	ONSEMI	类似代替	Axial Lead Standard Recovery Rectifiers
MUR120RLG	ONSEMI	类似代替	SWITCHMODE Power Rectifiers
MUR120G	ONSEMI	类似代替	SWITCHMODE Power Rectifiers

与1N4935G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N4935G(LS)	DIODES	获取价格	1.0A FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED RECTIFIER
1N4935G-A	ONSEMI	获取价格	1.0A FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED RECTIFIER
1N4935G-B	ONSEMI	获取价格	1.0A FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED RECTIFIER
1N4935GH02-1	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N4935GH02-2	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N4935GH03-3	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N4935GH04	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N4935GH05-1	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N4935GH06	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N4935GH07	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,

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