5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.15 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管电容容差： | 20% |
| 最小二极管电容比： | 2.0243 | 标称二极管电容： | 39 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-7 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最小质量因数： | 15 | 最大重复峰值反向电压： | 55 V |
| 最大反向电流： | 5e-9 µA | 反向测试电压： | 20 V |
| 子类别： | Varactors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 变容二极管分类： | ABRUPT | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4795A | NJSEMI |
获取价格 |
D0-7 Diode |
|
| 1N4795B | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 39pF C(T), Silicon, Abrupt, DO-7, |
|
| 1N4795C | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 39pF C(T), Silicon, Abrupt, DO-7, |
|
| 1N4795CO | AEROFLEX |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 39pF C(T), 22V, Silicon, DIE-1 |
|
| 1N4796 | NJSEMI |
获取价格 |
Controlled tuning ratio with planar reliability make these diodes well suited for frequen |
|
| 1N4796 | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 47pF C(T), Silicon, Abrupt, DO-7, |
|
| 1N4796A | NJSEMI |
获取价格 |
D0-7 Diode |
|
| 1N4796A | APITECH |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 47pF C(T), Silicon, Abrupt, DO-7, |
|
| 1N4796ACO | AEROFLEX |
获取价格 |
Variable Capacitance Diode, 47pF C(T), 22V, Silicon, DIE-1 |
|
| 1N4796B | NJSEMI |
获取价格 |
Diode VAR Cap Single 22V 47pF 2-Pin DO-7 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
