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1N4795C

更新时间: 2024-11-24 20:48:55
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APITECH 测试二极管变容二极管
页数 文件大小 规格书
1页 56K
描述
Variable Capacitance Diode, 39pF C(T), Silicon, Abrupt, DO-7,

1N4795C 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.15
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管电容容差:2%最小二极管电容比:2.0243
标称二极管电容:39 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODEJEDEC-95代码:DO-7
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified最小质量因数:15
最大重复峰值反向电压:55 V最大反向电流:5e-9 µA
反向测试电压:20 V子类别:Varactors
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL变容二极管分类:ABRUPT
Base Number Matches:1

1N4795C 数据手册

  

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