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1N4795B

更新时间: 2024-11-24 20:48:55
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APITECH 测试二极管变容二极管
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1页 56K
描述
Variable Capacitance Diode, 39pF C(T), Silicon, Abrupt, DO-7,

1N4795B 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.15
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管电容容差:5%
最小二极管电容比:2.0243标称二极管电容:39 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码:DO-7JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
最小质量因数:15最大重复峰值反向电压:55 V
最大反向电流:5e-9 µA反向测试电压:20 V
子类别:Varactors表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
变容二极管分类:ABRUPTBase Number Matches:1

1N4795B 数据手册

  

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