生命周期: | Active | 包装说明: | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.73 |
应用: | GENERAL PURPOSE | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | O-XALF-W2 |
最大非重复峰值正向电流: | 300 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 3 A | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
最大重复峰值反向电压: | 600 V | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N4724 | NJSEMI |
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Silicon Rectifiers | |
1N4724 | MICROSEMI |
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Silicon Rectifiers | |
1N4724A | NJSEMI |
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暂无描述 | |
1N4724E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
1N4725 | MICROSEMI |
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Silicon Rectifiers | |
1N4725 | NJSEMI |
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Silicon Rectifiers | |
1N4725E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 | |
1N4727 | DAYA |
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SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES | |
1N4727 | NJSEMI |
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General Electric type | |
1N4727 | SURGE |
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Zener Diode, |