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1N4723E3

更新时间: 2024-11-08 14:46:07
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 97K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-2

1N4723E3 技术参数

生命周期:Active包装说明:HERMETIC SEALED PACKAGE-2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.73
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-XALF-W2
最大非重复峰值正向电流:300 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:3 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大重复峰值反向电压:600 V表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N4723E3 数据手册

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