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1N4688DUR-1

更新时间: 2024-11-02 07:46:27
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 170K
描述
Zener Diode, 4.7V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, MELF-2

1N4688DUR-1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:MELF-2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.39其他特性:HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-213AAJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
标称参考电压:4.7 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
最大电压容差:1%工作测试电流:0.05 mA

1N4688DUR-1 数据手册

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