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1N4688-TR

更新时间: 2024-11-02 06:26:51
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威世 - VISHAY 测试二极管
页数 文件大小 规格书
7页 275K
描述
Zener Diode, 4.7V V(Z), 5%, 0.5W,

1N4688-TR 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.14外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:4.7 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:TIN SILVER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40最大电压容差:5%
工作测试电流:0.05 mABase Number Matches:1

1N4688-TR 数据手册

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1N4678 to 1N4717  
Vishay Semiconductors  
Small Signal Zener Diodes  
Features  
• Zener voltage specified at 50 µA  
• Maximum delta V given from  
Z
e2  
10 µA to 100 µA  
• Very high stability  
• Low noise  
• Lead (Pb)-free component  
94 9367  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
Applications  
Voltage stabilization  
Mechanical Data  
Case: DO-35 Glass case  
Weight: approx. 125 mg  
Packaging codes/options:  
TR / 10 k per 13 " reel, 30 k/box  
TAP / 10 k per Ammo tape (52 mm tape), 30 k/box  
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Power dissipation  
Z-current  
Test condition  
Symbol  
Ptot  
Value  
500  
Unit  
mW  
l = 4 mm  
IZ  
Ptot/VZ  
mA  
Thermal Characteristics  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Tj  
Value  
175  
Unit  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature range  
Tstg  
- 65 to + 175  
300  
°C  
Junction ambient  
l = 4 mm, TL = constant  
RthJA  
K/W  
Electrical Characteristics  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Test condition  
IF = 100 mA  
Symbol  
VF  
Min  
Typ.  
Max  
1.5  
Unit  
V
Forward voltage  
Document Number 85586  
Rev. 1.4, 18-Feb-05  
www.vishay.com  
1

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