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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.76 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 4 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.2 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 85 V |
| 最大反向电流： | 0.25 µA | 最大反向恢复时间： | 0.004 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4606VH | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N4606VM | ROHM |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N4607 | NJSEMI |
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DIODE |
|
| 1N4607 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Switching Diode DO-35 Glass Package |
|
| 1N4607R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N4607-TR | MICROSEMI |
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暂无描述 |
|
| 1N4607X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N4608 | NJSEMI |
获取价格 |
DIODE |
|
| 1N4608 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE |
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| 1N4608 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2 |
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