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1N4608

更新时间： 2024-11-15 20:15:47

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	236K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35, GLASS PACKAGE-2

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1N4608 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	2.15
Is Samacsys：	N	其他特性：	METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.01 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N4608 数据手册

Silicon Switching Diode

DO-35 Glass Package

1N4607

1N4150

Applications

Used in general purpose applications,where a controlled forward

characteristic and fast switching speed are important.

DO-35 Glass Package

Features

Lead Dia.

0.018-0.022"

0.458-0.558 mm

Six sigma quality

Metallurgically bonded

BKC's Sigma Bond™ plating

for problem free solderability

Dia.

0.06-0.09"

1.0"

25.4 mm

(Min.)

Length

0.120-.200"

3.05-5.08- mm

1.53-2.28 mm

Maximum Ratings

Symbol

Value

85 (Min).

200

Unit

Peak Inverse Voltage @ 5µA & 0.1µA @ -55^oC

PIV

Iavg

I_Fdc

Volts

AverageRectifiedCurrent

mAmps

Amp

Continuous Forward Current

200

Peak Surge Current (t_peak= 1 sec.)

BKC Power Dissipation T_L=50 ^oC, L = 3/8" from body

Operating Temperature Range

I_peak

P_tot

1.0

500

mWatts

^oC

T_Op

-65 to +200

Storage Temperature Range

Electrical Characteristics @ 25^oC*

T_St

-65 to +200

Maximum

1.10

^oC

Symbol

Minimum

Unit

Forward Voltage Drop @ I_F= 400 mA

V_F

***

Volts

Breakdown Voltage @ I_R= 25 µA

PIV

Volts

µA

Reverse Leakage Current @ V_R= 50 V

Reverse Recovery time (note 1)

I_R

100

t_rr

nSecs

Note 1: Per Method 4031-A with I_F= 10 mA,Vr = 6 V, R_L= 100 Ohms. * UNLESS OTHERWISE SPECIFIED

6 Lake Street - Lawrence, MA 01841

Tel: 978-681-0392 - Fax: 978-681-9135

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N4608R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon,
1N4608X	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon,
1N4609	NJSEMI	获取价格	DIODE
1N460A	ETC	获取价格	silicon diode
1N460B	ETC	获取价格	silicon diode
1N461	TI	获取价格	0.06A, SILICON, SIGNAL DIODE
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1N4611	NJSEMI	获取价格	TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODE
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