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1N4596R

更新时间： 2024-02-27 20:18:42

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GENESIC		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	1757K
描述
Silicon Standard Recovery Diode

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1N4596R 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.42	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.4 V	JESD-30 代码：	O-MUPM-H1
最大非重复峰值正向电流：	3000 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	1
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-60 °C
最大输出电流：	150 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1400 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	HIGH CURRENT CABLE	端子位置：	UPPER
Base Number Matches：	1

1N4596R 数据手册

1N4594(R) thru 1N4596(R)

Package dimensions and terminal configuration

Product is marked with part number and terminal configuration.

DO-8 (DO-205AA)

Stud Stud

(R)

Inches

Millimeters

Min

Max

Min

Max

3/8-24 UNF

-----

1.050

4.300

-----

φ0.930

1.060

4.700

0.690

-----

26.67

109.22

-----

φ23.5

26.92

119.38

17.00

-----

0.260

-----

6.50

0.940

0.600

0.286

-----

24.00

15.23

7.260

-----

0.276

7.010

Oct. 2018

http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/1n4595r.pdf

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