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1N457A

更新时间： 2024-02-04 12:23:07

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美国国家半导体 - NSC		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	35K
描述
High Conductance Low Leakage Diode

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1N457A 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.62	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	70 V
最大反向电流：	0.025 µA	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N457A 数据手册

High Conductance Low Leakage Diode

(continued)

Electrical Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min

Max Units

B_V

Breakdown Voltage

456/A

457/A

458/A

459/A

I = 100

I_R= 100 µA

150

200

I_R

Reverse Current

456/A

457/A

458/A

459/A

V_R= 25 V

V_R= 25 V, T_A= 150°C

V_R= 60 V

V_R= 60 V, T_A= 150°C

V_R= 125 V

V_R= 125 V, T_A= 150°C

V_R= 175 V

V_R= 175 V, T_A= 150°C

I_F= 40 mA

I_F= 10 mA

I_F= 7.0 mA

I_F= 3.0 mA

5.0

µA

V_F

Forward Voltage

456

457

458

1.0

6.0

459

456/A-459/A

I_F= 100 mA

V_R= 0, f = 1.0 MHz

C_O

Diode Capacitance

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