1N4448HLP

更新时间： 2024-02-26 07:42:50

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		二极管开关
页数	文件大小	规格书
3页	75K
描述
SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N4448HLP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.58	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.15 W	最大重复峰值反向电压：	75 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

1N4448HLP 数据手册

300

250

1000

100

T_A= 150ºC

200

150

T_A= 125ºC

T_A= 85ºC

100

T_A= 25ºC

T_A= 0ºC

0.1

T_A= -55ºC

0.01

100

125

150

0.4 0.5

0.8 0.9

0.2 0.3

0.1

0.6 0.7

1.1

T_A, AMBIENT TEMPERATURE (°C)

Fig. 1 Power Derating Curve

V_F, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)

Fig. 2 Typical Forward Characteristics

2.5

2.0

1.5

100

T_A= 150ºC

T_A= 125ºC

T_A= 85ºC

0.1

1.0

0.5

T_A= 25ºC

0.01

T_A= 0ºC

0.001

0.0001

T_A= -55ºC

I_F, FORWARD CURRENT (mA)

V_R, REVERSE VOLTAGE (V)

Fig. 4 Reverse Recovery Time vs.

Forward Current

Fig. 3 Typical Reverse Characteristics

(Note 4)

Ordering Information

Device

Packaging

DFN1006-2

Shipping

1N4448HLP-7

3000/Tape & Reel

Note: 4. For Packaging Details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.

Marking Information

T8 = Product Type Marking Code, Dot Denotes Cathode Side

DS30590 Rev. 5 - 2

2 of 3

1N4448HLP

www.diodes.com

123

下载PDF

与1N4448HLP相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N4448HLP_08	DIODES	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE	获取价格
1N4448HLP_12	DIODES	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE	获取价格
1N4448HLP-7	DIODES	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE	获取价格
1N4448HLP-7B	DIODES	SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE	获取价格
1N4448HP	SWST	小信号开关二极管	获取价格
1N4448HS	ROHM	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon,	获取价格