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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PDSO-F2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.58 | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.25 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大功率耗散： | 0.15 W | 最大重复峰值反向电压： | 75 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.004 µs | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N4448R | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon, |
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| 1N4448R0 | TSC | 500mW High Speed Switching Diode |
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| 1N4448-T | DIODES | FAST SWITCHING DIODE |
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| 1N4448-T | RECTRON | Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, MINIMELF-2 |
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| 1N4448T/R | NXP | 0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, ALF2, SC |
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| 1N4448T-10A | ROHM | Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35, |
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