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1N4148CSM

更新时间: 2024-11-15 22:37:55
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页数 文件大小 规格书
2页 19K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

1N4148CSM 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:R-CDSO-N3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.29Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-CDSO-N3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:0.15 A
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:75 V最大反向恢复时间:0.004 µs
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N4148CSM 数据手册

 浏览型号1N4148CSM的Datasheet PDF文件第2页 
1N4148CSM  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm (inches)  
0.51 ± 0.10  
(0.02 ± 0.004)  
0.31  
rad.  
SILICON EPITAXIAL  
(0.012)  
PLANAR DIODE  
3
2
1
1.91 ± 0.10  
(0.075 ± 0.004)  
A
0.31  
(0.012)  
rad.  
3.05 ± 0.13  
(0.12 ± 0.005)  
Fast Switching Diode in  
Hermetic Ceramic Surface Mount Package  
For High Reliability Applications  
1.40  
(0.055)  
max.  
1.02 ± 0.10  
(0.04 ± 0.004)  
A =  
SOT23 CERAMIC  
(LCC1 PACKAGE)  
Underside View  
PAD 1 Anode  
PAD 2 Not Connected PAD 3 Cathode  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
Parameter  
Reverse Voltage  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
75  
Unit  
V
V
V
I
R
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
Forward Current  
75  
V
RRM  
150  
200  
450  
2000  
500  
500  
mA  
mA  
mA  
F(AV)  
F
I
I
Repetitive Peak Forward Current  
FRM  
t = 1 s  
I
Non-Repetitive Peak Forward Current  
mA  
FSM  
t = 1s  
P
Power Dissipation at T  
= 25 °C  
mW  
tot  
amb  
T
Storage Temperature Range  
Max junction temperature  
-55 to +175 °C  
+150°C  
stg  
T
j
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk  
Prelim. 7/00  

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