是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.78 |
应用: | HIGH POWER | 外壳连接: | ANODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.3 V |
JEDEC-95代码: | DO-9 | JESD-30 代码: | O-MUPM-H1 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值正向电流: | 5000 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 1 | 最高工作温度: | 190 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 275 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 最大重复峰值反向电压: | 1000 V |
最大反向电流: | 75 µA | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | HIGH CURRENT CABLE |
端子位置: | UPPER | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N4056RIL | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 275A, 1000V V(RRM), | |
1N4057 | CDI-DIODE |
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12.4 THRU 200 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGES + 5% | |
1N4057 | MICROSEMI |
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HIGH VOLTAGE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER DIODES | |
1N4057 | NJSEMI |
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HIGH VOLTAGE DIODES | |
1N4057A | NJSEMI |
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HIGH VOLTAGE DIODES | |
1N4057A | MICROSEMI |
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HIGH VOLTAGE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER DIODES | |
1N4057A | CDI-DIODE |
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12.4 THRU 200 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGES + 5% | |
1N4057AE3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 12.4V V(Z), 5%, 1.5W, Silicon, PLASTIC PACAKGE-2 | |
1N4057E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 12.4V V(Z), 5%, 1.5W, Silicon, PLASTIC PACAKGE-2 | |
1N4058 | MICROSEMI |
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HIGH VOLTAGE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER DIODES |