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1N4057

更新时间: 2024-11-07 22:37:31
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管温度补偿高压
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2页 82K
描述
HIGH VOLTAGE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER DIODES

1N4057 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.6Is Samacsys:N
其他特性:METALLURGICALLY BONDED外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:1.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:12.4 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED电压温度Coeff-Max:0.62 mV/ °C
最大电压容差:5%Base Number Matches:1

1N4057 数据手册

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