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1N4005W

更新时间: 2024-11-30 20:09:03
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美台 - DIODES 光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 100K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon,

1N4005W 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.58
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:C BEND
端子位置:DUALBase Number Matches:1

1N4005W 数据手册

  

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