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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.79 |
| 应用： | FAST RECOVERY | 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.4 V |
| JEDEC-95代码： | DO-5 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 300 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 50 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 最大反向电流： | 15 µA |
| 最大反向恢复时间： | 0.2 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3911RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1PIN |
|
| 1N3911RS | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 200V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETICALLY SEALED, |
|
| 1N3911RTX | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 200V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETICALLY SEALED, |
|
| 1N3911RTXV | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 200V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETICALLY SEALED, |
|
| 1N3911S | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 200V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETICALLY SEALED, |
|
| 1N3911TX | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 200V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETICALLY SEALED, |
|
| 1N3911TXV | SSDI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N3912 | MICROSEMI |
获取价格 |
Military Fast Recovery Rectifier |
|
| 1N3912 | SSDI |
获取价格 |
30A, 200nsec, 50-400 V Fast Recovery Rectifier |
|
| 1N3912 | NJSEMI |
获取价格 |
Fast Rectifier |
|
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