5秒后页面跳转
1N3912R PDF预览

1N3912R

更新时间: 2024-11-19 20:57:35
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
1页 528K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 300V V(RRM), Silicon,

1N3912R 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MUPM-D1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.27
Is Samacsys:N应用:FAST RECOVERY
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.56 VJESD-30 代码:O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流:340 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:150 °C最大输出电流:30 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:300 V最大反向恢复时间:0.2 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

1N3912R 数据手册

  

与1N3912R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N3912RE3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1PIN
1N3912RHR DIGITRON

获取价格

Rectifier Diode
1N3912R-PBF DIGITRON

获取价格

Rectifier Diode
1N3912RS SSDI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 300V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETICALLY SEALED,
1N3912RTX SSDI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 300V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETICALLY SEALED,
1N3912RTXV SSDI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 300V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETICALLY SEALED,
1N3912S SSDI

获取价格

暂无描述
1N3912TX SSDI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 300V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETICALLY SEALED,
1N3912TXV SSDI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 300V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETICALLY SEALED,
1N3913 MICROSEMI

获取价格

Military Fast Recovery Rectifier