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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N3912R
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1N3912R

更新时间： 2024-11-19 07:20:59
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
3页 74K
描述
HIGH RELIABILITY FAST RECOVERY RECTIFIER

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1N3912R 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-5
包装说明：O-MUPM-D1针数：2
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.47Is Samacsys：N
应用：FAST RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.4 V
JEDEC-95代码：DO-203ABJESD-30 代码：O-MUPM-D1
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：300 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：50 A
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：300 V
最大反向恢复时间：0.2 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N3912R 数据手册

 浏览型号1N3912R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N3912R的Datasheet PDF文件第3页 
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http://www.microsemi.com  
HIGH RELIABILITY FAST RECOVERY RECTIFIER  
Qualified per MIL-PRF-19500/308  
• 150°C Junction Temperature • VRRM 50 to 400 Volts  
• 50 Amps Current Rating  
DEVICES  
LEVELS  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
1N3909 1N3912  
1N3910 1N3913  
1N3910A 1N3913A 1N3911R 1N3909AR 1N3912AR  
1N3911A 1N3909R 1N3912R 1N3910AR 1N3913AR  
1N3911 1N3909A 1N3912A 1N3910R 1N3913R 1N3911AR  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
1N3909 / A / R / AR  
Symbol  
Value  
Unit  
50  
Peak Reverse Voltage  
1N3910 / A / R / AR  
1N3911 / A / R / AR  
1N3912 / A / R / AR  
1N3913 / A / R / AR  
100  
200  
300  
400  
VRWM  
V
1N3909 / A / R / AR  
1N3910 / A / R / AR  
1N3911 / A / R / AR  
1N3912 / A / R / AR  
1N3913 / A / R / AR  
50  
100  
200  
300  
400  
Peak Working Reverse Voltage  
VRRM  
V
Average Forward Current, TC = 100°  
Peak Surge Forward Current @  
IF  
50  
A
A
1N3909 / R Thru 1N3913 / R  
300  
400  
IFSM  
8.3ms, half sinewave, TC = 100°C 1N3909A / AR Thru 1N3913A / AR  
DO-203AB (DO-5)  
Thermal Resistance, Junction to Case  
0.8  
°C/W  
°C  
RθJC  
Tj  
Operating Case Temperature Range  
-65°C to 150°C  
-65°C to 175°C  
Storage Temperature Range  
TSTG  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions Symbol  
Min.  
Max.  
1.4  
Unit  
V
Forward Voltage  
VFM  
VFM  
IFM = 50A, TC = 25°C*  
Forward Voltage  
2.75  
V
IFM = 400A, TC = 150°C**  
Reverse Current  
VRM = 50V, TC = 25°C  
VRM = 100V, TC = 25°C  
1N3909 / A / R  
1N3910 / A / R  
1N3911 / A / R  
1N3912 / A / R  
1N3913 / A / R  
V
RM = 200V, TC = 25°C  
VRM = 300V, TC = 25°C  
RM = 400V, TC= 25°C  
IRM  
15  
μA  
V
Reverse Current  
VRM = 50V, TC = 150°C  
1N3909 / A / R  
1N3910 / A / R  
1N3911 / A / R  
1N3912 / A / R  
1N3913 / A / R  
V
RM = 100V, TC = 150°C  
VRM = 200V, TC = 150°C  
RM = 300V, TC = 150°C  
IRM  
6
mA  
ns  
V
VRM = 400V, TC = 150°C  
Reverse Recovery Time  
VRM = 30V, IF = 1A  
1N3909 / A Thru 1N3913 / A  
1N3909A / AR Thru 1N3913A / AR  
200  
150  
Trr  
* Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 2%  
** Pulse test: Pulse width 800 µsec  
T4-LDS-0144 Rev. 1 (091810)  
Page 1 of 3  
123

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与1N3912R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N3912RE3 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 300V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1PIN
1N3912RHR DIGITRON

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 		Rectifier Diode
1N3912R-PBF DIGITRON

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 		Rectifier Diode
1N3912RS SSDI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 300V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETICALLY SEALED,
1N3912RTX SSDI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 300V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETICALLY SEALED,
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1N3912S SSDI

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 		暂无描述
1N3912TX SSDI

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1N3912TXV SSDI

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1N3913 MICROSEMI

获取价格

 		Military Fast Recovery Rectifier

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