1N3910RTX

更新时间： 2024-11-19 13:03:31

品牌	Logo	应用领域
SSDI		二极管快速恢复能力电源快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
2页	101K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETICALLY SEALED, 1 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N3910RTX 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-5
包装说明：	O-MUPM-D1	针数：	1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.32
应用：	FAST RECOVERY	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-5
JESD-30 代码：	O-MUPM-D1	最大非重复峰值正向电流：	300 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最大输出电流：	30 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向恢复时间：	0.2 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	SOLDER LUG
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

1N3910RTX 数据手册

1N3909

Thru

1N3913

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

Designer’s Data Sheet

Part Number/Ordering Information ^1/

30A, 200nsec, 50-400 V

Fast Recovery Rectifier

1N3909

__ __

│

└

Screening ^2/__ = Not Screened

TX = TX Level

│

└

TXV = TXV Level

S = S Level

Features:

•

Fast Recovery: 200nsec Maximum (100nsec typ.) ^3/

Low Reverse Leakage Current

Pin Configuration __ = Normal (Cathode to Stud)

(See Table 1)

R = Reverse (Anode to Stud)

Single Chip Construction

Family/Voltage 1N3909 = 50V

1N3910 = 100V

PIV to 400V, Higher Voltages Available

Hermetically Sealed Isolated Package

High Surge Rating

1N3911 = 200V

1N3912 = 300V

1N3913 = 400V

TX, TXV, and S-Level Screening Available ^2/

Maximum Ratings ^4/

Symbol

Value

Units

1N3909

1N3910

1N3911

1N3912

1N3913

V_RRM

V_RWM

V_R

100

200

300

400

Peak Repetitive Reverse Voltage

Volts

Average Rectified Forward Current

(Resistive Load, 60 Hz Sine Wave, T_A= 25 °C)

Amps

ºC

Peak Surge Current

(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave, T_A= 25 °C, per leg)

I_FSM

300

T_OP

T_STG

-55 to +150

-65 to +175

Operating & Storage Temperature

Maximum Total Thermal Resistance

Junction to Case

1.2

ºC/W

R_θJC

DO-5:

Notes:

1/ For ordering information, Price, Operating Curves, and Availability- Contact Factory.

2/ Screened to MIL-PRF-19500.

3/ Recovery Conditions: I_F= 500 mA, I_R= 1 Amp, I_RR= 250 mA.

4/ Unless Otherwise Specified, All Maximum Ratings/Electrical Characteristics @25°C.

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: RC0114A

DOC

中文翻译

下载PDF

与1N3910RTX相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N3910RTXV	SSDI	获取价格	暂无描述
1N3910TXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETICALLY SEALED,
1N3911	ASI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 200V V(RRM), Silicon, DO-5, DO-5, 1 PIN
1N3911	MICROSEMI	获取价格	Military Fast Recovery Rectifier
1N3911	SSDI	获取价格	30A, 200nsec, 50-400 V Fast Recovery Rectifier
1N3911A	MICROSEMI	获取价格	Fast Recovery Rectifier
1N3911AR	MICROSEMI	获取价格	Fast Recovery Rectifier
1N3911-PBF	DIGITRON	获取价格	Rectifier Diode
1N3911R	IXYS	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 200V V(RRM), Silicon,
1N3911R	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 200V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETICALLY SEALED,

与1N3910RTX相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N3910RTX

1N3910RTX 技术参数

1N3910RTX 数据手册

与1N3910RTX相关器件

与1N3910RTX相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

1N3910RTX

1N3910RTX 技术参数

1N3910RTX 数据手册

与1N3910RTX相关器件

与1N3910RTX相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？