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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | 二极管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
1页 | 39K | |
描述 | ||
30A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.26 |
应用: | FAST RECOVERY | 外壳连接: | ANODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.4 V |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 | 最大非重复峰值正向电流: | 300 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 1 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 30 A |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 最大功率耗散: | 50 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
最大反向电流: | 50 µA | 最大反向恢复时间: | 0.2 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子形式: | SOLDER LUG | 端子位置: | UPPER |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N3911RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, DO-5, 1PIN | |
1N3911RS | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 200V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETICALLY SEALED, | |
1N3911RTX | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 200V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETICALLY SEALED, | |
1N3911RTXV | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 200V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETICALLY SEALED, | |
1N3911S | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 200V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETICALLY SEALED, | |
1N3911TX | SSDI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 200V V(RRM), Silicon, DO-5, HERMETICALLY SEALED, | |
1N3911TXV | SSDI |
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暂无描述 | |
1N3912 | MICROSEMI |
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Military Fast Recovery Rectifier | |
1N3912 | SSDI |
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30A, 200nsec, 50-400 V Fast Recovery Rectifier | |
1N3912 | NJSEMI |
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Fast Rectifier |