5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.76 | 配置： | SINGLE |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.4 V |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 12 A | 最大重复峰值反向电压： | 400 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.2 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3889 | MICROSEMI |
获取价格 |
Fast Recovery Rectifier |
|
| 1N3889 | INFINEON |
获取价格 |
FAST RECOVERY DIODES |
|
| 1N3889 | VISHAY |
获取价格 |
Fast Recovery Diodes(Stud Version) |
|
| 1N3889 | AMERICASEMI |
获取价格 |
High Power- Fast Recovery Rectifiers |
|
| 1N3889 | NJSEMI |
获取价格 |
STUD MOUNTED FAST RECOVERY POWER RECTIFIERS |
|
| 1N3889_07 | MICROSEMI |
获取价格 |
Fast Recovery Rectifier |
|
| 1N3889A | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3889A | MOTOROLA |
获取价格 |
12A, 50V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
|
| 1N3889AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
|
| 1N3889AR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
