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1N3889ARE3

更新时间: 2024-11-30 15:41:23
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美高森美 - MICROSEMI 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
7页 507K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 50V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

1N3889ARE3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:DO-4, 1 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.37其他特性:FREE WHEELING DIODE
应用:FAST RECOVERY外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.5 V
JEDEC-95代码:DO-203AAJESD-30 代码:O-MUPM-D1
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:250 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:20 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT最大重复峰值反向电压:50 V
最大反向电流:10 µA最大反向恢复时间:0.2 µs
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

1N3889ARE3 数据手册

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