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1N3309B

更新时间: 2024-11-04 20:23:03
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CENTRAL 测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 464K
描述
Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-5, HERMETICALLY SEALED, METAL PACKAGE-1

1N3309B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-5
包装说明:O-MUPM-D1针数:1
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.19
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:0.6 ΩJEDEC-95代码:DO-5
JESD-30 代码:O-MUPM-D1JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:1
最高工作温度:175 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:50 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:10 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%工作测试电流:1200 mA
Base Number Matches:1

1N3309B 数据手册

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