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1N3309B

更新时间: 2024-11-03 22:34:55
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美高森美 - MICROSEMI 二极管测试
页数 文件大小 规格书
2页 89K
描述
SILICON 50 WATT ZENER DIODES

1N3309B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-5
包装说明:O-MUPM-D1针数:1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.16
其他特性:HIGH RELIABILITY, LOW IMPEDANCE外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-203AB
JESD-30 代码:O-MUPM-D1JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:1
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:50 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:10 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:5%工作测试电流:1200 mA
Base Number Matches:1

1N3309B 数据手册

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1N3309B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N3309RB MICROSEMI

完全替代

Silicon 50 Watt Zener Diodes
1N3309RB CENTRAL

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