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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-9 |
| 包装说明： | O-MUPM-H1 | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.74 |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-205AB |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-H1 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 3000 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 240 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 250 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N4046 | POWEREX |
功能相似  |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 275A, 150V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N3166 | MICROSEMI |
功能相似 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3165 | MICROSEMI |
功能相似 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N3166 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3166 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3166E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 240A, 300V V(RRM), Silicon, DO-205AB, METAL, DO-9, 1 |
|
| 1N3166R | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3167 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3167 | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
|
| 1N3167E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 240A, 350V V(RRM), Silicon, DO-205AB, METAL, DO-9, 1 |
|
| 1N3167R | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N3167RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 240A, 350V V(RRM), Silicon, DO-205AB, METAL, DO-9, 1 |
|
| 1N3168 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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