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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N288 | ETC |
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GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
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| 1N289 | ETC |
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GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
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| 1N28B | ETC |
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SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES |
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| 1N28BR | ETC |
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SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES |
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| 1N290 | ETC |
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GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
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| 1N291 | ETC |
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GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
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| 1N292 | ETC |
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GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
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| 1N2926 | ASI |
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Mixer Diode, Zero Barrier, X Band to K Band, 18000ohm Z(V) Max, Silicon, DO-37, DO-37, 2 P |
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| 1N2926A | ASI |
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Mixer Diode, Zero Barrier, X Band to K Band, 18000ohm Z(V) Max, Silicon, DO-37, DO-37, 2 P |
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| 1N2927 | ASI |
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GERMANIUM TUNNEL DIODE |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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