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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N2929 | NJSEMI |
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Germanium Diode |
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| 1N2929A | NJSEMI |
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TUNNEL DIODES |
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| 1N2930 | NJSEMI |
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TUNNEL DIODES |
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| 1N2930A | NJSEMI |
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TUNNEL DIODES |
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| 1N2931 | NJSEMI |
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TUNNEL DIODES |
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| 1N2931A | NJSEMI |
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TUNNEL DIODES |
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| 1N2932 | NJSEMI |
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TUNNEL DIODES |
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| 1N2932A | NJSEMI |
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TUNNEL DIODES |
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| 1N2933 | NJSEMI |
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TUNNEL DIODES |
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| 1N2933 | MICROSEMI |
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Tunnel Diode, 1V V(F) @Ipeak, 51.7mA Ipeak, Silicon, TO-18 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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