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1N2970

更新时间: 2024-11-15 22:34:55
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
2页 107K
描述
Silicon 10 WATT Zener Diodes

1N2970 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-4
包装说明:O-MUPM-D1针数:1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.5
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:1.2 ΩJEDEC-95代码:DO-4
JESD-30 代码:O-MUPM-D1JESD-609代码:e0
膝阻抗最大值:500 Ω元件数量:1
端子数量:1最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:10 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:6.8 V最大反向电流:150 µA
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED电压温度Coeff-Max:2.72 mV/ °C
最大电压容差:20%工作测试电流:370 mA
Base Number Matches:1

1N2970 数据手册

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