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1N2926A

更新时间: 2024-11-16 19:17:35
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ASI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 200K
描述
Mixer Diode, Zero Barrier, X Band to K Band, 18000ohm Z(V) Max, Silicon, DO-37, DO-37, 2 PIN

1N2926A 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:DO-37
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.77
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
频带:X BAND TO K BAND最大阻抗:18000 Ω
JEDEC-95代码:DO-37JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最大工作频率:21 GHz最小工作频率:10 GHz
最高工作温度:70 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified子类别:Other Diodes
表面贴装:NO最小正切信号灵敏度:45 dBm
技术:POINT CONTACT端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL肖特基势垒类型:ZERO BARRIER
Base Number Matches:1

1N2926A 数据手册

 浏览型号1N2926A的Datasheet PDF文件第2页 
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