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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-MUPM-D1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.76 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-4 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 10 W |
| 标称参考电压： | 12 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 最大电压容差： | 10% |
| 工作测试电流： | 500 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N250A | NJSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifiers |
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| 1N250A | POWEREX |
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Rectifier Diode, 1 Element, 37A, 200V V(RRM) |
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| 1N250A | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N250AR | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
|
| 1N250ARE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
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| 1N250B | NJSEMI |
获取价格 |
PEAK REPETITIVE REVERSE VOLTAGE DC BLOCKING VOLTAGE |
|
| 1N250B | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N250B | POWEREX |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 20A, 200V V(RRM), Silicon, DO-5, DO-5, 1 PIN |
|
| 1N250BE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AB, METAL, DO-5, 1 P |
|
| 1N250BR | POWEREX |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 20A, 200V V(RRM) |
|
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