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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-37 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.60 | 风险等级： | 5.3 |
| 其他特性： | MATCHED PAIR | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | MIXER DIODE | 频带： | X BAND |
| 最大阻抗： | 500 Ω | 最小阻抗： | 300 Ω |
| JEDEC-95代码： | DO-37 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 最大噪声指数： | 9.5 dB | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大工作频率： | 12 GHz |
| 最小工作频率： | 8 GHz | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Microwave Mixer Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | POINT CONTACT | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N252 | ETC | silicon diode |
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| 1N252A | ETC | silicon diode |
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| 1N253 | ASI | SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N253 | NJSEMI | Diode 100V 3A |
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| 1N254 | NJSEMI | Rectifier Diode |
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| 1N255 | NJSEMI | Rectifier Diode |
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