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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1F7-J
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1F7-J

更新时间： 2024-10-30 13:03:27
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 29K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon

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1F7-J 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.12
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向恢复时间：0.5 µs表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

1F7-J 数据手册

 浏览型号1F7-J的Datasheet PDF文件第2页 
1F1  
THRU  
1F7  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
FAST RECOVERY RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 1.0 Ampere  
FEATURES  
* Fast switching  
* Low leakage  
* Low forward voltage drop  
* High current capability  
* High currenf surge  
* High reliability  
R-1  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
(
)
.025 0.65  
DIA.  
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
(
)
.021 0.55  
(
)
.787 20.0  
MIN.  
* Weight: 0.19 gram  
(
)
.126 3.2  
(
)
.106 2.7  
(
)
.102 2.6  
DIA.  
(
)
.091 2.3  
(
)
.787 20.0  
MIN.  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
1F1  
50  
1F2  
100  
1F3  
200  
1F4  
400  
1F5  
600  
1F6  
800  
1F7  
UNITS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
V
RRM  
RMS  
1000  
Volts  
Volts  
Volts  
35  
50  
70  
140  
200  
280  
400  
420  
600  
560  
800  
700  
100  
1000  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
Maximum Average Forward Rectified Current  
I
O
1.0  
25  
Amps  
Amps  
at TA  
= 25oC  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
C
J
15  
pF  
0 C  
Operating and Storage Temperature Range  
T
J
, TSTG  
-65 to + 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA  
= 25oC unless otherwise noted)  
CHARACTERISTICS  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC  
Maximum DC Reverse Current  
SYMBOL  
1F1  
1F2  
1F3  
1F4  
1.3  
1F5  
250  
1F6  
1F7  
UNITS  
Volts  
V
F
5.0  
uAmps  
uAmps  
at Rated DC Blocking Voltage T  
Maximum Full Load Reverse Current Full Cycle Average,  
.375” (9.5mm) lead length at T  
= 55oC  
A
= 25oC  
I
R
100  
L
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
NOTES : 1. Reverse Recovery Test Conditions: I  
trr  
150  
500  
nSec  
F
= 0.5A, IR = -1.0A, IRR = -0.25A  
2001-5  
2. Measured at 1 MHZ and applied reverse voltage of 4.0 volts  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1F7-TP MCC

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN
1F7-TP-HF MCC

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon,
1F8719D RFHIC

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 		CATV Line Amplifier
1F8719P RFHIC

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1F8734PS RFHIC

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1FF100 SEMTECH

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 10000V V(RRM), Silicon, G136, 2 PIN
1FF75 SEMTECH

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 7500V V(RRM), Silicon, G136, 2 PIN
1FI150B FUJI

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, Silicon,
1FI150B-060 FUJI

获取价格

 		600V / 150A 1 in one-package
1FI150B120 FUJI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 150A, 1200V V(RRM),

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