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1FI150B

更新时间: 2024-10-30 20:53:39
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富士电机 - FUJI 快速恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 127K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, Silicon,

1FI150B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PUFM-X2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
其他特性:SNUBBER DIODE应用:FAST RECOVERY
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 VJESD-30 代码:R-PUFM-X2
最大非重复峰值正向电流:2000 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:150 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大反向恢复时间:0.5 µs表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

1FI150B 数据手册

  

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