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1F5G

更新时间： 2024-10-30 05:57:35
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海湾 - GULFSEMI 二极管快速恢复二极管
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2页 143K
描述
FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50 TO 1000V CURRENT: 1.0A

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1F5G 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.63Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-PALF-W2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.25 µs表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

1F5G 数据手册

 浏览型号1F5G的Datasheet PDF文件第2页 
1F1G THRU 1F7G  
FAST RECOVERY GLASS PASSIVATED  
JUNCTION RECTIFIER  
VOLTAGE: 50 TO 1000V  
CURRENT: 1.0A  
R-1  
FEATURE  
Molded case feature for auto insertion  
High current capability  
Low leakage current  
High surge capability  
High temperature soldering guaranteed  
250°C /10sec/0.375" lead length at 5 lbs tension  
Glass Passivated chip  
MECHANICAL DATA  
Terminal: Plated axial leads solderable per  
MIL-STD 202E, method 208C  
Case: Molded with UL-94 Class V-0 recognized Flame  
Retardant Epoxy  
Polarity: color band denotes cathode  
Mounting position: any  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated,  
for capacitive load, derate current by 20%)  
SYMBOL  
1F  
1G  
50  
1F  
2G  
100  
1F  
3G  
1F  
4G  
1F  
5G  
1F  
6G  
1F  
7G  
units  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
Vrrm  
Vrms  
Vdc  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
35  
50  
70  
Maximum DC blocking Voltage  
100  
1000  
Maximum Average Forward Rectified  
Current 3/8" lead length at Ta =50°C  
Peak Forward Surge Current 8.3ms single  
Half sine-wave superimposed on rated load  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at  
rated forward current  
If(av)  
Ifsm  
Vf  
1.0  
30.0  
1.3  
A
A
V
Maximum full load reverse current  
full cycle at TL =75°C  
Ir(av)  
30.0  
µA  
5.0  
100.0  
15.0  
µ
µ
A
A
Maximum DC Reverse Current  
at rated DC blocking voltage  
Ta =25°C  
Ta =100°C  
Ir  
Typical Junction Capacitance  
(Note 1)  
Cj  
Trr  
pF  
nS  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)  
Operating Temperature (Note 3)  
Storage and Operation Junction Temperature  
150  
250  
500  
R(ja)  
Tstg, Tj  
50.0  
°C /W  
°C  
-55 to +150  
Note:  
1. Measured at 1.0 MHz and applied voltage of 4.0Vdc  
2. Test Condition If =0.5A, Ir =1.0A, Irr =0.25A  
3. Thermal Resistance from Junction to Ambient at 0.375" lead length, P.C. Board Mounted  
Rev.4  
www.gulfsemi.com  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1F5G-B RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-1, 2 PIN
1F5-TP MCC

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 		暂无描述
1F5-TP-HF MCC

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1F6 PFS

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1F6 EIC

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