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1F6

更新时间： 2024-02-09 04:19:46

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描述
Fast switching for high efficiency

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1F6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.11
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大重复峰值反向电压：	800 V
最大反向恢复时间：	0.5 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

1F6 数据手册

1F1 THRU 1F7

FAST RECOVERY RECTIFIER

Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts

Forward Current - 1.0 Ampere

FEATURES

R-1

●

The plastic package carries Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

Fast switching for high efficiency

●

1.0 (25.4)

MIN.

Low reverse leakage

High forward surge current capability

High temperature soldering guaranteed:

0.102 (2.6)

0.091 (2.3)

DIA.

●

250 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,

5 lbs. (2.3kg) tension

0.140(3.50)

0.114(2.90)

MECHANICAL DATA

Case: R-1 molded plastic body

1.0 (25.4)

MIN.

Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

0.025 (0.65)

0.021 (0.55)

DIA.

Polarity: Color band denotes cathode end

Mounting Position: Any

Weight:0.007 ounce, 0.20 grams

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.

SYMBOLS

UNITS

1F1

1F2

1F3

1F4

1F5

1F6

1F7

Characteristic

Maximum repetitive peak reverse voltage

100

200 400

140 280

200 400

600

420

600

800 1000

560 700

800 1000

V^RRM

VRMS

VDC

Maximum RMS voltage

100

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current

at T^A=25 C

I(AV)

1.0

Peak forward surge current

IFSM

25.0

1.3

8.3ms single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A

Maximum DC reverse current

at rated DC blocking voltage

Maximum reverse recovery time

T^A=25 C

T^L= 55 C

(NOTE 1)

5.0

100.0

µA

t^rr

150

250

500

Typical junction capacitance (NOTE 2)

C^J

R JA

C/W

15.0

50.0

Typical thermal resistance (NOTE 3)

Operating junction and storage temperature range

TJ,TSTG

-65 to +150

Note:1.Reverse recovery condition IF=0.5A,IR=1.0A,Irr=0.25A

2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

3.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375”(9.5mm)lead length,P.C.B. mounted

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