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1SS187

更新时间： 2024-01-23 14:27:42

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KISEMICONDUCTOR		二极管
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1页	69K
描述
SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes

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1SS187 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.15 W	最大重复峰值反向电压：	80 V
最大反向恢复时间：	0.004 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

1SS187 数据手册

KI SEMICONDUCTOR CO.

SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes

1SS187

SWITCHING DIODE

FEATURES

SOT-23

Power dissipation

P_D

150 mW(Tamb=25℃)

Forward Current

I_F

100 m A

2. 4

1. 3

Reverse Voltage

V_R:

Operating and storage junction temperature range

T_J,T_stg: -55℃ to +150℃

Unit: mm

Marking D3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Test conditions

MIN

MAX

UNIT

Parameter

V_(BR)

µA

Reverse breakdown voltage

I_R= 100µA

I_R

V_R=80V

0.5

1.2

Reverse voltage leakage current

Forward voltage

V_F

I_F=100mA

C_D

t _{r r}

V_R=0V

f=1MHz

Diode capacitance

Reverse recovery time

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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1SS187(T5LTST,F)	TOSHIBA	0.1A, 85V, SILICON, SIGNAL DIODE	获取价格
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